Vishay Type P-Channel MOSFET, 20.5 A, -30 V Enhancement, 8-Pin SO-8

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB92,217.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB98,673.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
สต็อกสุดท้ายของ RS
  • 6,000 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
3000 - 6000THB30.739THB92,217.00
9000 +THB28.587THB85,761.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
252-0243
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SI4151DY-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

20.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

-30V

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.01mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

58nC

Maximum Power Dissipation Pd

5.6W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

The Vishay siliconix MOSFET product line includes a diverse range of advanced technologies. MOSFETs are transistor devices which are controlled by a capacitor. The field effect means that they are controlled by voltage. P-Channel MOSFETS substrate contains electrons and electron holes. P-Channel MOSFETs are connected to a positive voltage. These MOSFETs turn on when the voltage supplied to the gate terminal is lower than the source voltage.

TrenchFET power MOSFET

100 % Rg and UIS tested

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง