Vishay SQJA38EP Type N-Channel MOSFET, 60 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- RS Stock No.:
- 188-4917
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQJA38EP-T1_GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB54,675.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB58,503.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 27 กรกฎาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | THB18.225 | THB54,675.00 |
| 6000 - 9000 | THB17.679 | THB53,037.00 |
| 12000 + | THB17.148 | THB51,444.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 188-4917
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQJA38EP-T1_GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 60A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Series | SQJA38EP | |
| Package Type | SO-8 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 6.7mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 68W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 48.2nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 5mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 1.01mm | |
| Width | 4.47 mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 60A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Series SQJA38EP | ||
Package Type SO-8 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 6.7mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 68W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 48.2nC | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 5mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 1.01mm | ||
Width 4.47 mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET.
TrenchFET® power MOSFET
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SQJA38EP Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SQJA38EP-T1_GE3
- Vishay Dual TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Vishay SQJB46EP_RC Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 4-Pin SO-8
- Vishay Dual TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SQJ208EP-T1_GE3
- Vishay SQJB46EP_RC Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 4-Pin SO-8 SQJB46EP-T1_GE3
- Vishay Dual TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Vishay SQJA42EP Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Vishay Siliconix TrenchFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8