Vishay SiHB22N60EF Type N-Channel MOSFET, 19 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263

RS Stock No.:: 188-4872
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIHB22N60EF-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay SiHB22N60EF Type N-Channel MOSFET, 19 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*

THB4,677.80

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB5,005.25

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 1,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อหลอด*
50 - 50	THB93.556	THB4,677.80
100 - 150	THB91.522	THB4,576.10
200 +	THB89.489	THB4,474.45

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 188-4872
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIHB22N60EF-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	19A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	600V
	Series	SiHB22N60EF
	Package Type	TO-263
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	182mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	48nC
	Maximum Power Dissipation Pd	179W
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	10.41mm
	Standards/Approvals	No
	Height	4.57mm
	Width	9.65 mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 19A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 600V
	Series SiHB22N60EF
	Package Type TO-263
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 182mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 48nC
	Maximum Power Dissipation Pd 179W
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 10.41mm
	Standards/Approvals No
	Height 4.57mm
	Width 9.65 mm
	Automotive Standard No

Datasheet SIHB22N60EF-GE3

EF Series Power MOSFET With Fast Body Diode.

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low input capacitance (Ciss)

Reduced switching and conduction losses

APPLICATIONS

Server and telecom power supplies

Switch mode power supplies (SMPS)

Power factor correction power supplies (PFC)

Vishay SiHB22N60EF Type N-Channel MOSFET, 19 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง