onsemi NVTFS6H888N Type N-Channel MOSFET, 12 A, 80 V Enhancement, 8-Pin WDFN NVTFS6H888NTAG

RS Stock No.:: 185-9125
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: NVTFS6H888NTAG
ผู้ผลิต:: onsemi

onsemi NVTFS6H888N Type N-Channel MOSFET, 12 A, 80 V Enhancement, 8-Pin WDFN NVTFS6H888NTAG

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 6 ชิ้น)*

THB71.988

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB77.028

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
6 - 372	THB11.998	THB71.99
378 - 744	THB11.698	THB70.19
750 +	THB11.518	THB69.11

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 185-9125
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: NVTFS6H888NTAG
ผู้ผลิต:: onsemi

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	onsemi
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	12A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	80V
	Package Type	WDFN
	Series	NVTFS6H888N
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	55mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	18W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	4.7nC
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Width	3.15 mm
	Height	0.75mm
	Standards/Approvals	No
	Length	3.15mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand onsemi
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 12A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 80V
	Package Type WDFN
	Series NVTFS6H888N
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 55mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 18W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 4.7nC
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Width 3.15 mm
	Height 0.75mm
	Standards/Approvals No
	Length 3.15mm
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet NVTFS6H888NTAG

ไม่สอดคล้อง

COO (Country of Origin):: MY

Automotive Power MOSFET in a 3x3mm flat lead package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. Wettable Flank Option available for Enhanced Optical Inspection. MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications.

Small Footprint (3.3 x 3.3 mm)

Low On-Resistance

Low Capacitance

NVTFS6H850NWF − Wettable Flanks Product

PPAP Capable

Compact Design

Minimizes Conduction Losses

Minimize Driver Losses

Enhanced Optical Inspection

Suitable for Automotive Applications

Applications

Reverser Battery protection

Power switches (High Side Driver, Low Side Driver, H-Bridges etc.)

Switching power supplies

End Products

Solenoid Driver – ABS, Fuel injection

Motor Control – EPS, Wipers, Fans, Seats, etc.

Load Switch – ECU, Chassis, Body

onsemi NVTFS6H888N Type N-Channel MOSFET, 12 A, 80 V Enhancement, 8-Pin WDFN NVTFS6H888NTAG

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง