onsemi NVTFS6H888N Type N-Channel MOSFET, 12 A, 80 V Enhancement, 8-Pin WDFN

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
ขออภัย เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกเมื่อใด
RS Stock No.:
185-8164
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
NVTFS6H888NTAG
ผู้ผลิต:
onsemi
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

onsemi

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

12A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Package Type

WDFN

Series

NVTFS6H888N

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

55mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

18W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

4.7nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

0.75mm

Width

3.15 mm

Length

3.15mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

ไม่สอดคล้อง

COO (Country of Origin):
MY
Automotive Power MOSFET in a 3x3mm flat lead package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. Wettable Flank Option available for Enhanced Optical Inspection. MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications.

Small Footprint (3.3 x 3.3 mm)

Low On-Resistance

Low Capacitance

NVTFS6H850NWF − Wettable Flanks Product

PPAP Capable

Compact Design

Minimizes Conduction Losses

Minimize Driver Losses

Enhanced Optical Inspection

Suitable for Automotive Applications

Applications

Reverser Battery protection

Power switches (High Side Driver, Low Side Driver, H-Bridges etc.)

Switching power supplies

End Products

Solenoid Driver – ABS, Fuel injection

Motor Control – EPS, Wipers, Fans, Seats, etc.

Load Switch – ECU, Chassis, Body

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง