onsemi NVTFS6H854N N-Channel MOSFET, 44 A, 80 V Enhancement, 8-Pin WDFN NVTFS6H854NTAG
- RS Stock No.:
- 185-9264
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NVTFS6H854NTAG
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*
THB260.80
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB279.10
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 1,460 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 10 - 370 | THB26.08 | THB260.80 |
| 380 - 740 | THB25.427 | THB254.27 |
| 750 + | THB25.038 | THB250.38 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 185-9264
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NVTFS6H854NTAG
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 44A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 80V | |
| Package Type | WDFN | |
| Series | NVTFS6H854N | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 14.5mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 68W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 13nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 0.75mm | |
| Length | 3.15mm | |
| Width | 3.15mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 44A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 80V | ||
Package Type WDFN | ||
Series NVTFS6H854N | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 14.5mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 68W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 13nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 0.75mm | ||
Length 3.15mm | ||
Width 3.15mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
ไม่สอดคล้อง
- COO (Country of Origin):
- MY
Automotive Power MOSFET in a 3x3mm flat lead package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. Wettable Flank Option available for Enhanced Optical Inspection. MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications.
Small Footprint (3.3 x 3.3 mm)
Low On-Resistance
Low Capacitance
NVTFS6H850NWF − Wettable Flanks Product
PPAP Capable
Compact Design
Minimizes Conduction Losses
Minimize Driver Losses
Enhanced Optical Inspection
Suitable for Automotive Applications
Applications
Reverser Battery protection
Power switches (High Side Driver, Low Side Driver, H-Bridges etc.)
Switching power supplies
End Products
Solenoid Driver – ABS, Fuel injection
Motor Control – EPS, Wipers, Fans, Seats, etc.
Load Switch – ECU, Chassis, Body
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi NVTFS6H854N N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin WDFN
- onsemi NVTFS6H850N N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin WDFN
- onsemi PowerTrench N-Channel MOSFET 120 V Enhancement, 8-Pin WDFN
- onsemi N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin WDFN
- onsemi N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin WDFN
- onsemi PowerTrench N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin WDFN
- onsemi NTTFS6H850N N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin WDFN
- onsemi NTTFS4C02N N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin WDFN