onsemi UltraFET Type N-Channel MOSFET, 48 A, 80 V Enhancement, 8-Pin WDFN

RS Stock No.:: 166-3289
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FDMS3572
ผู้ผลิต:: onsemi

onsemi UltraFET Type N-Channel MOSFET, 48 A, 80 V Enhancement, 8-Pin WDFN

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB148,149.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB158,520.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 27 กรกฎาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
3000 - 3000	THB49.383	THB148,149.00
6000 - 9000	THB47.902	THB143,706.00
12000 +	THB46.465	THB139,395.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 166-3289
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FDMS3572
ผู้ผลิต:: onsemi

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	onsemi
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	48A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	80V
	Package Type	WDFN
	Series	UltraFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	29mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	28nC
	Forward Voltage Vf	0.8V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	78W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Width	6 mm
	Height	0.75mm
	Length	5mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand onsemi
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 48A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 80V
	Package Type WDFN
	Series UltraFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 29mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 28nC
	Forward Voltage Vf 0.8V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 78W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Width 6 mm
	Height 0.75mm
	Length 5mm
	Automotive Standard No

UltraFET® MOSFET, Fairchild Semiconductor

UItraFET® Trench MOSFET combine characteristics that enable Benchmark efficiency in power conversion applications. The device is capable of withstanding high energy in the avalanche mode, and the diode exhibits very low reverse recovery time and stored charge. Optimised for efficiency at high frequencies, lowest RDS(on), low ESR, and low total and Miller gate charge.

Applications in high frequency DC to DC converters, switching regulators, motor drivers, low-voltage bus switches, and power management.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.

ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

onsemi UltraFET Type N-Channel MOSFET, 48 A, 80 V Enhancement, 8-Pin WDFN

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

UltraFET® MOSFET, Fairchild Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semi

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง