onsemi Dual 2 Type N-Channel Power MOSFET, 25 A, 80 V Enhancement, 8-Pin DFN
- RS Stock No.:
- 195-2560
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NVMFD6H852NLT1G
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 1500 ชิ้น)*
THB27,754.50
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB29,697.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- 3,000 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 1500 - 1500 | THB18.503 | THB27,754.50 |
| 3000 - 4500 | THB18.10 | THB27,150.00 |
| 6000 + | THB17.698 | THB26,547.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 195-2560
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NVMFD6H852NLT1G
- ผู้ผลิต:
- onsemi
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | Power MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 25A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 80V | |
| Package Type | DFN | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 31.5mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 0.8V | |
| Minimum Operating Temperature | 175°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 10nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 3.2W | |
| Maximum Operating Temperature | -55°C | |
| Transistor Configuration | Dual | |
| Height | 1.05mm | |
| Width | 5.1 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 6.1mm | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type Power MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 25A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 80V | ||
Package Type DFN | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 31.5mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 0.8V | ||
Minimum Operating Temperature 175°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 10nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 3.2W | ||
Maximum Operating Temperature -55°C | ||
Transistor Configuration Dual | ||
Height 1.05mm | ||
Width 5.1 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 6.1mm | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi Dual 2 Type N-Channel Power MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin DFN NVMFD6H852NLT1G
- onsemi Dual 2 Type N-Channel Power MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin DFN
- onsemi Dual 2 Type N-Channel Power MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin DFN NVMFD6H852NLWFT1G
- onsemi Dual 2 Type N-Channel Power MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin DFN
- onsemi Dual 2 Type N-Channel Power MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin DFN
- onsemi Dual 2 Type N-Channel Power MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin DFN
- onsemi Dual 2 Type N-Channel Power MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin DFN
- onsemi Dual 2 Type N-Channel Power MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin DFN