Toshiba Type N-Channel MOSFET, 170 mA, 60 V Enhancement, 3-Pin USM SSM3K7002CFU,LF(T
- RS Stock No.:
- 182-5548
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SSM3K7002CFU,LF(T
- ผู้ผลิต:
- Toshiba
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 150 ชิ้น)*
THB335.55
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB359.10
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 300 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
- เพิ่มอีก 1,200 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 01 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 150 - 600 | THB2.237 | THB335.55 |
| 750 - 1350 | THB2.181 | THB327.15 |
| 1500 + | THB2.126 | THB318.90 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 182-5548
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SSM3K7002CFU,LF(T
- ผู้ผลิต:
- Toshiba
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Toshiba | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 170mA | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | USM | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 8.1Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 150mW | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 0.27nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 2mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 0.85mm | |
| Width | 1.25 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Toshiba | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 170mA | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type USM | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 8.1Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 150mW | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 0.27nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 2mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 0.85mm | ||
Width 1.25 mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- TH
Gate-Source diode for protection
Low drain-source on-resistance
RDS(ON) = 2.8 Ω (typ.) (@VGS = 10 V, ID = 100 mA)
RDS(ON) = 3.1 Ω (typ.) (@VGS = 5 V, ID = 100 mA)
RDS(ON) = 3.2 Ω (typ.) (@VGS = 4.5 V, ID = 100 mA)
Applications
High-Speed Switching
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Toshiba Type N-Channel MOSFET 50 V Enhancement, 3-Pin USM SSM3K17FU(F)
- Toshiba Type N-Channel MOSFET 60 V, 6-Pin US6
- Toshiba Type N-Channel MOSFET 60 VLF(T
- Toshiba Type N-Channel MOSFET 30 V EnhancementLF(T
- Toshiba Type N-Channel MOSFET 30 V EnhancementLF(T
- Toshiba Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Toshiba Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 T2N7002BK
- Infineon SIPMOS Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 BSS84PH6327XTSA2
