Toshiba Type N-Channel MOSFET, 400 mA, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 T2N7002BK

RS Stock No.:: 171-2528
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: T2N7002BK
ผู้ผลิต:: Toshiba

Toshiba Type N-Channel MOSFET, 400 mA, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 T2N7002BK

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 100 ชิ้น)*

THB140.10

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB149.90

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

1,300 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
เพิ่มอีก 6,200 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 02 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
100 - 700	THB1.401	THB140.10
800 - 1400	THB1.366	THB136.60
1500 +	THB1.345	THB134.50

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 171-2528
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: T2N7002BK
ผู้ผลิต:: Toshiba

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Toshiba
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	400mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Package Type	SOT-23
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1.75Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Forward Voltage Vf	-0.79V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	0.39nC
	Maximum Power Dissipation Pd	1W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	0.9mm
	Length	2.9mm
	Width	1.3 mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Toshiba
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 400mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Package Type SOT-23
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1.75Ω
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Forward Voltage Vf -0.79V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 0.39nC
	Maximum Power Dissipation Pd 1W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 0.9mm
	Length 2.9mm
	Width 1.3 mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

COO (Country of Origin):: TH

High-Speed Switching

ESD(HBM) level 2 kV

Low drain-source on-resistance

RDS(ON) = 1.05 Ω (typ.) (@VGS = 10 V)

RDS(ON) = 1.15 Ω (typ.) (@VGS = 5.0 V)

RDS(ON) = 1.2 Ω (typ.) (@VGS = 4.5 V)

Toshiba Type N-Channel MOSFET, 400 mA, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 T2N7002BK

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง