Toshiba Type N-Channel MOSFET, 400 mA, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- RS Stock No.:
- 171-2411
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- T2N7002BK
- ผู้ผลิต:
- Toshiba
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB2,679.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB2,868.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 6,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 25 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | THB0.893 | THB2,679.00 |
| 6000 - 9000 | THB0.866 | THB2,598.00 |
| 12000 + | THB0.84 | THB2,520.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 171-2411
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- T2N7002BK
- ผู้ผลิต:
- Toshiba
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Toshiba | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 400mA | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.75Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 0.39nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | -0.79V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 0.9mm | |
| Length | 2.9mm | |
| Width | 1.3 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Toshiba | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 400mA | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type SOT-23 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.75Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 0.39nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf -0.79V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 0.9mm | ||
Length 2.9mm | ||
Width 1.3 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- TH
High-Speed Switching
ESD(HBM) level 2 kV
Low drain-source on-resistance
RDS(ON) = 1.05 Ω (typ.) (@VGS = 10 V)
RDS(ON) = 1.15 Ω (typ.) (@VGS = 5.0 V)
RDS(ON) = 1.2 Ω (typ.) (@VGS = 4.5 V)
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Toshiba Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 T2N7002BK
- ROHM Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 BSS138BKAHZGT116
- DiodesZetex DMN62 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-323 DMN62D0UWQ-7
- DiodesZetex DMN62 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-323
- Toshiba Type N-Channel MOSFET 60 V EnhancementLF(T
- Toshiba Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Nexperia NX3008NBK Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Nexperia NX3008NBK Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement215
