Vishay Type P-Channel Power MOSFET, 110 A, 80 V, 3-Pin TO-263 SUM110P08-11L-E3
- RS Stock No.:
- 180-7977
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SUM110P08-11L-E3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB340.22
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB364.04
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 1,392 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 2 - 198 | THB170.11 | THB340.22 |
| 200 - 398 | THB167.13 | THB334.26 |
| 400 + | THB164.07 | THB328.14 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 180-7977
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SUM110P08-11L-E3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | Power MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 110A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 80V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.0112Ω | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 375W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 85nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 10.414 mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Length | 15.875mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type Power MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 110A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 80V | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0112Ω | ||
Maximum Power Dissipation Pd 375W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 85nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 10.414 mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Length 15.875mm | ||
Automotive Standard No | ||
Vishay MOSFET
The Vishay MOSFET is a P-channel, TO-263-3 package is a new age product with a drain-source voltage of 80V and maximum gate-source voltage of 20V. It has a drain-source resistance of 11.2mohm at a gate-source voltage of 10V. The MOSFET has a maximum power dissipation of 375W. This product has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.
Features and Benefits
• Lead (Pb) free component
• Operating temperature ranges between -55°C and 175°C
• TrenchFET power MOSFET
Applications
• Adaptor switches
• DC/DC primary switches
• Load switches
• Power management
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay Type P-Channel Power MOSFET 80 V, 3-Pin TO-263
- Vishay Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Vishay Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SUM110P06-07L-E3
- Vishay SUM110P06-08L Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P-Channel Power MOSFET 20 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- Vishay Type P-Channel MOSFET 80 V TO-252
- Vishay Single 1 Type P-Channel Power MOSFET 100 V TO-263
- Vishay Single 1 Type P-Channel Power MOSFET 100 V TO-263 IRF9520SPBF