Vishay Single 1 Type P-Channel Power MOSFET, 11 A, 60 V TO-263
- RS Stock No.:
- 180-8832
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF9Z24SPBF
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB339.07
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB362.805
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 60 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 10 | THB67.814 | THB339.07 |
| 15 - 20 | THB66.12 | THB330.60 |
| 25 + | THB65.108 | THB325.54 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 180-8832
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF9Z24SPBF
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | Power MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 11A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.28Ω | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 19nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 60W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 10.67 mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Length | 2.79mm | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type Power MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 11A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.28Ω | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 19nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 60W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Transistor Configuration Single | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 10.67 mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Length 2.79mm | ||
Number of Elements per Chip 1 | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The Vishay IRF9Z24S is a P-channel power MOSFET having drain to source(Vds) voltage of -60V.The gate to source voltage(VGS) is 20V. It is having D2PAK (TO-263) package. It offers drain to source resistance (RDS.) 0.28ohms at 10VGS. Maximum drain current -11A.
Advanced process technology
Surface mount
175 °C operating temperature
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay Single 1 Type P-Channel Power MOSFET 60 V TO-263 IRF9Z24SPBF
- Vishay Single 1 Type P-Channel Power MOSFET 60 V TO-220AB
- Vishay Single 1 Type P-Channel Power MOSFET 60 V TO-220AB IRF9Z24PBF
- Vishay Single 1 Type P-Channel Power MOSFET 100 V TO-263
- Vishay Single 1 Type P-Channel Power MOSFET 100 V TO-263 IRF9520SPBF
- Vishay Single 1 Type P-Channel Power MOSFET 50 V TO-220AB
- Vishay Single 1 Type P-Channel Power MOSFET 50 V TO-220AB IRF9Z30PBF
- Vishay Single 1 Type P-Channel MOSFET 100 V TO-220FP