Vishay Type P-Channel MOSFET, 50 A, 80 V TO-252
- RS Stock No.:
- 180-7417
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SUD50P08-25L-E3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2000 ชิ้น)*
THB101,024.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB108,096.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 08 กุมภาพันธ์ 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 2000 - 2000 | THB50.512 | THB101,024.00 |
| 4000 - 6000 | THB48.996 | THB97,992.00 |
| 8000 + | THB47.526 | THB95,052.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 180-7417
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SUD50P08-25L-E3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 50A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 80V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.0252Ω | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 160nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 136W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 50A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 80V | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0252Ω | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 160nC | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 136W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- TW
Vishay MOSFET
The Vishay MOSFET is a P-channel, TO-252-3 package is a new age product with a drain-source voltage of 80V and maximum gate-source voltage of 20V. It has a drain-source resistance of 25.2mohm at a gate-source voltage of 10V. It has a maximum power dissipation of 136W. This product has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.
Features and Benefits
• Lead (Pb) free component
• Operating temperature ranges between -55°C and 175°C
• TrenchFET power MOSFET
Applications
• Adaptor switches
• Load switches
• Notebook PCs
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay Type P-Channel MOSFET 80 V TO-252 SUD50P08-25L-E3
- Vishay Type P-Channel MOSFET 60 V TO-220AB
- Vishay Type P-Channel MOSFET 60 V, 8-Pin PowerPAK SO-8
- Vishay Type P-Channel MOSFET 100 V, 3-Pin TO-263
- Vishay Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Vishay Type P-Channel Power MOSFET 80 V, 3-Pin TO-263
- Vishay TP0610K Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Vishay Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SUM110P06-07L-E3