Vishay Single E Type N-Channel MOSFET, 21 A, 600 V TO-220 SIHA22N60E-E3
- RS Stock No.:
- 180-7900
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIHA22N60E-E3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB375.11
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB401.368
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 17 เมษายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 2 - 12 | THB187.555 | THB375.11 |
| 14 - 24 | THB182.875 | THB365.75 |
| 26 + | THB180.06 | THB360.12 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 180-7900
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIHA22N60E-E3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 21A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Series | E | |
| Package Type | TO-220 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.18Ω | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 35W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±30 V | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 86nC | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 10.3 mm | |
| Length | 13.8mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 21A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Series E | ||
Package Type TO-220 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.18Ω | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 35W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±30 V | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 86nC | ||
Transistor Configuration Single | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 10.3 mm | ||
Length 13.8mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The Vishay SIHA22N60E is a E series N-channel power MOSFET having drain to source(Vds) voltage of 600V.The gate to source voltage(VGS) is 30V. It is having Thin-Lead TO-220 FULLPAK package. It offers drain to source resistance (RDS.) 0.18ohms at 10VGS. Maximum drain current 8A.
Low figure of merit (FOM) Ron x Qg
Low input capacitance (Ciss)
Reduced switching and conduction losses
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay Single E Type N-Channel MOSFET 600 V TO-220
- Vishay Single E Type N-Channel MOSFET 650 V TO-247AC
- Vishay Single E Type N-Channel MOSFET 650 V TO-247AC SIHG47N65E-GE3
- Vishay Single E 1 Type N-Channel Power MOSFET 500 V, 3-Pin TO-220AB
- Vishay Single EF 1 Type N-Channel Power MOSFET 600 V, 3-Pin TO-220AB
- Vishay Single EF 1 Type N-Channel Power MOSFET 600 V, 3-Pin TO-220AB SIHP21N60EF-GE3
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 850 V Enhancement, 3-Pin TO-247 SIHG24N80AE-GE3
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 850 V Enhancement, 3-Pin TO-247
