Vishay Single E Type N-Channel MOSFET, 21 A, 600 V TO-220 SIHA22N60E-E3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*

THB375.11

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB401.368

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 17 เมษายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
2 - 12THB187.555THB375.11
14 - 24THB182.875THB365.75
26 +THB180.06THB360.12

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
180-7900
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SIHA22N60E-E3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

21A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Series

E

Package Type

TO-220

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.18Ω

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

35W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±30 V

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

86nC

Transistor Configuration

Single

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Width

10.3 mm

Length

13.8mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN
The Vishay SIHA22N60E is a E series N-channel power MOSFET having drain to source(Vds) voltage of 600V.The gate to source voltage(VGS) is 30V. It is having Thin-Lead TO-220 FULLPAK package. It offers drain to source resistance (RDS.) 0.18ohms at 10VGS. Maximum drain current 8A.

Low figure of merit (FOM) Ron x Qg

Low input capacitance (Ciss)

Reduced switching and conduction losses

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง