Vishay SIA433EDJ-T1-GE3, Type P-Channel IGBT, 6-Pin PowerPAK SC-70-6L, Surface

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 20 ชิ้น)*

THB416.62

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB445.78

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
สต็อกสุดท้ายของ RS
  • 2,960 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
20 - 740THB20.831THB416.62
760 - 1480THB20.31THB406.20
1500 +THB19.997THB399.94

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
180-7754
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SIA433EDJ-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Product Type

IGBT

Maximum Power Dissipation Pd

19W

Package Type

PowerPAK SC-70-6L

Mount Type

Surface

Channel Type

Type P

Pin Count

6

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

12 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

0.8mm

Width

2.15 mm

Length

2.15mm

Standards/Approvals

to RoHS Directive 2002/95/EC, Halogen Free According to IEC 61249-2-21

Automotive Standard

No

Vishay MOSFET


The Vishay surface mount P-channel PowerPAK-SC70-6 MOSFET is a new age product with a drain-source voltage of 20V and a maximum gate-source voltage of 12V. It has a drain-source resistance of 18mohms at a gate-source voltage of 4.5V. It has a maximum power dissipation of 19W and continuous drain current of 12A. It has a minimum and a maximum driving voltage of 1.8V and 4.5V respectively. This product has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.

Features and Benefits


• Built-in ESD protection with zener diode

• Halogen free

• Lead (Pb) free component

• Low on-resistance

• New thermally enhanced PowerPAK SC-70 package

• Operating temperature ranges between -55°C and 150°C

• Small footprint area

• TrenchFET power MOSFET

• Typical ESD performance is 1800V

Applications


• Battery switches

• Charger switches

• Load switches

• Portable devices

Certifications


• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• Rg tested

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง