Vishay Dual TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET, 6.5 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SI4946BEY-T1-E3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ เนื่องจากผู้ผลิตกำลังจะยกเลิกการผลิตสินค้านี้
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
180-7732
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SI4946BEY-T1-E3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

6.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

SO-8

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.052Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

9.2nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Maximum Power Dissipation Pd

3.7W

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

175°C

Transistor Configuration

Dual

Length

5mm

Width

4 mm

Standards/Approvals

RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21

Height

1.75mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

Vishay MOSFET


The Vishay surface mount dual N-channel MOSFET is a new age product with a drain-source voltage of 60V. It has drain-source resistance of 41mohm at a gate-source voltage of 10V. It has continuous drain current of 6.5A and a maximum power rating of 3.7W. It has application in load switches for portable devices. The MOSFET has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.

Features and Benefits


• Halogen free

• Lead (Pb) free

• Operating temperature ranges between -55°C and 175°C

• TrenchFET power MOSFET

Certifications


• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21

• Rg tested

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง