Vishay N-Channel MOSFET, 25 A, 150 V TO-252AA SUD25N15-52-E3
- RS Stock No.:
- 180-7416
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SUD25N15-52-E3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2000 ชิ้น)*
THB108,854.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB116,474.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 19 ตุลาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 2000 - 2000 | THB54.427 | THB108,854.00 |
| 4000 - 6000 | THB52.795 | THB105,590.00 |
| 8000 + | THB51.211 | THB102,422.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 180-7416
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SUD25N15-52-E3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 25A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 150V | |
| Package Type | TO-252AA | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.052Ω | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 40nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 136W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Forward Voltage Vf | 1.5V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 2.38mm | |
| Standards/Approvals | RoHS 2002/95/EC | |
| Length | 6.22mm | |
| Width | 6.73mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 25A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 150V | ||
Package Type TO-252AA | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.052Ω | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 40nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 136W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Forward Voltage Vf 1.5V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 2.38mm | ||
Standards/Approvals RoHS 2002/95/EC | ||
Length 6.22mm | ||
Width 6.73mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- TW
Vishay MOSFET
The Vishay MOSFET is an N-channel, TO-263-3 package is a new age product with a drain-source voltage of 150V and maximum gate-source voltage of 20V. It has a drain-source resistance of 52mohm at a gate-source voltage of 10V. The MOSFET has a maximum power dissipation of 136W. It can be used in the primary side switch. This product has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.
Features and Benefits
• Lead (Pb) free component
• Operating temperature ranges between -55°C and 175°C
• PWM optimised
• TrenchFET power MOSFET
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay N-Channel MOSFET 150 V TO-252AA SUD25N15-52-E3
- Vishay N-Channel MOSFET 400 V TO-220AB SIHP25N40D-GE3
- Vishay N-Channel MOSFET 30 V PowerPAK SO-8 SIRA12DP-T1-GE3
- Vishay N-Channel MOSFET 40 V, 8-Pin PowerPAK ChipFET SI5448DU-T1-GE3
- Vishay N-Channel MOSFET 20 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SI7232DN-T1-GE3
- Vishay E N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHB120N60E-T5-GE3
- Vishay N-Channel MOSFET 20 V TSSOP-8 SI6968BEDQ-T1-E3
- Vishay N-Channel MOSFET 60 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SI7414DN-T1-E3