Vishay Type N-Channel MOSFET, 25 A, 150 V TO-252AA SUD25N15-52-E3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB453.26

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB484.99

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 23 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
5 - 495THB90.652THB453.26
500 - 995THB88.386THB441.93
1000 +THB87.026THB435.13

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
180-8043
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SUD25N15-52-E3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

25A

Maximum Drain Source Voltage Vds

150V

Package Type

TO-252AA

Mount Type

Surface

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.052Ω

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Maximum Power Dissipation Pd

136W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

40nC

Forward Voltage Vf

1.5V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS 2002/95/EC

Width

6.73 mm

Length

6.22mm

Height

2.38mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
TW

Vishay MOSFET


The Vishay MOSFET is an N-channel, TO-263-3 package is a new age product with a drain-source voltage of 150V and maximum gate-source voltage of 20V. It has a drain-source resistance of 52mohm at a gate-source voltage of 10V. The MOSFET has a maximum power dissipation of 136W. It can be used in the primary side switch. This product has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.

Features and Benefits


• Lead (Pb) free component

• Operating temperature ranges between -55°C and 175°C

• PWM optimised

• TrenchFET power MOSFET

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง