Vishay Type N-Channel MOSFET, 25 A, 150 V TO-252AA SUD25N15-52-E3
- RS Stock No.:
- 180-8043
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SUD25N15-52-E3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB453.26
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB484.99
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 23 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 495 | THB90.652 | THB453.26 |
| 500 - 995 | THB88.386 | THB441.93 |
| 1000 + | THB87.026 | THB435.13 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 180-8043
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SUD25N15-52-E3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 25A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 150V | |
| Package Type | TO-252AA | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.052Ω | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 136W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 40nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.5V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS 2002/95/EC | |
| Width | 6.73 mm | |
| Length | 6.22mm | |
| Height | 2.38mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 25A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 150V | ||
Package Type TO-252AA | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.052Ω | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 136W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 40nC | ||
Forward Voltage Vf 1.5V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS 2002/95/EC | ||
Width 6.73 mm | ||
Length 6.22mm | ||
Height 2.38mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- TW
Vishay MOSFET
The Vishay MOSFET is an N-channel, TO-263-3 package is a new age product with a drain-source voltage of 150V and maximum gate-source voltage of 20V. It has a drain-source resistance of 52mohm at a gate-source voltage of 10V. The MOSFET has a maximum power dissipation of 136W. It can be used in the primary side switch. This product has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.
Features and Benefits
• Lead (Pb) free component
• Operating temperature ranges between -55°C and 175°C
• PWM optimised
• TrenchFET power MOSFET
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay Type N-Channel MOSFET 150 V TO-252AA
- Vishay Type N-Channel MOSFET 150 V, 3-Pin TO-252 SUD15N15-95-E3
- Vishay Type N-Channel MOSFET 150 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 SI7898DP-T1-E3
- Vishay Type N-Channel MOSFET 150 V PowerPAK 1212-8 SI7818DN-T1-E3
- ROHM RH6R025BH Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 8-Pin HSMT
- ROHM RH6R025BH Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 8-Pin HSMT RH6R025BHTB1
- Vishay Type N-Channel MOSFET 20 V TSSOP-8 SI6968BEDQ-T1-E3
- Vishay Type N-Channel MOSFET 200 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 SI7464DP-T1-E3
