Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 3.8 A, 200 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SI7119DN-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB280.61

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB300.25

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
สต็อกสุดท้ายของ RS
  • 8,790 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
10 - 740THB28.061THB280.61
750 - 1490THB27.36THB273.60
1500 +THB26.939THB269.39

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
180-7820
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SI7119DN-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

3.8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

200V

Package Type

PowerPAK 1212-8

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.1Ω

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

52W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

10.6nC

Minimum Operating Temperature

50°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

IEC 61249-2-21

Width

3.3 mm

Height

1.07mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN

Vishay MOSFET


The Vishay surface mount P-channel PowerPAK-1212-8 MOSFET is a new age product with a drain-source voltage of 200V and a maximum gate-source voltage of 20V. It has a drain-source resistance of 1050mohms at a gate-source voltage of 10V. It has a maximum power dissipation of 52W and continuous drain current of 3.8A. This product has been optimized for lower switching and conduction losses. It has applications in the active clamp in intermediate DC/DC power supplies. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.

Features and Benefits


• Halogen free

• Low thermal resistance powerpak package with small size and low 1.07 mm profile

• Maximum dissipation power 52W

• Operating temperature ranges between -50°C and 150°C

• TrenchFET power MOSFET

Certifications


• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21

• Rg tested

• UIS tested

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง