Vishay IRFBE Type N-Channel Power MOSFET, 1.7 A, 900 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB IRFBF20PBF
- RS Stock No.:
- 178-0843
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFBF20PBF
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*
THB1,522.40
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB1,628.95
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 16 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | THB30.448 | THB1,522.40 |
| 100 - 150 | THB29.785 | THB1,489.25 |
| 200 + | THB29.123 | THB1,456.15 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 178-0843
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFBF20PBF
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | Power MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 1.7A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 900V | |
| Package Type | TO-220AB | |
| Series | IRFBE | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 8Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 38nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 54W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Forward Voltage Vf | 1.5V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 9.01mm | |
| Standards/Approvals | RoHS 2002/95/EC | |
| Width | 4.7 mm | |
| Length | 10.41mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type Power MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 1.7A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 900V | ||
Package Type TO-220AB | ||
Series IRFBE | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 8Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 38nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 54W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Forward Voltage Vf 1.5V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 9.01mm | ||
Standards/Approvals RoHS 2002/95/EC | ||
Width 4.7 mm | ||
Length 10.41mm | ||
Automotive Standard No | ||
N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay IRFBE Type N-Channel Power MOSFET 900 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB
- Vishay IRFBE Type N-Channel Power MOSFET 900 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB
- Vishay IRFBE Type N-Channel Power MOSFET 900 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB IRFBF30PBF
- Vishay IRFBE Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Vishay IRFBE Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Vishay IRFBE Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRFBE30PBF
- Vishay IRFBE Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRFBE20PBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel Power MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB
