Vishay IRFBE N-Channel Power MOSFET, 1.7 A, 900 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB IRFBF20PBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
ขออภัย เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกเมื่อใด
RS Stock No.:
178-0843
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IRFBF20PBF
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Product Type

Power MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

1.7A

Maximum Drain Source Voltage Vds

900V

Series

IRFBE

Package Type

TO-220AB

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

8Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

-20V, +20V

Forward Voltage Vf

1.5V

Maximum Power Dissipation Pd

54W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

38nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

4.7mm

Standards/Approvals

RoHS 2002/95/EC

Height

9.01mm

Length

10.41mm

Automotive Standard

No

N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง