Microchip TP2540 Type P-Channel MOSFET, 125 mA, 400 V Enhancement, 3-Pin TO-243 TP2540N8-G

RS Stock No.:: 177-9867
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: TP2540N8-G
ผู้ผลิต:: Microchip

Microchip TP2540 Type P-Channel MOSFET, 125 mA, 400 V Enhancement, 3-Pin TO-243 TP2540N8-G

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB299.49

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB320.455

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

2,805 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
5 - 495	THB59.898	THB299.49
500 - 995	THB58.404	THB292.02
1000 +	THB57.506	THB287.53

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 177-9867
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: TP2540N8-G
ผู้ผลิต:: Microchip

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Microchip
	Channel Type	Type P
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	125mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds	400V
	Package Type	TO-243
	Series	TP2540
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	30Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	-1.8V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	1.6W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Length	4.6mm
	Width	2.6 mm
	Height	1.6mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Microchip
	Channel Type Type P
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 125mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds 400V
	Package Type TO-243
	Series TP2540
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 30Ω
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf -1.8V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 1.6W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Length 4.6mm
	Width 2.6 mm
	Height 1.6mm
	Automotive Standard No

Datasheet

COO (Country of Origin):: TW

This low threshold, enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and well-proven, silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. Vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where very low threshold voltage, high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired.

Low threshold (-2.4V max.)

High input impedance

Low input capacitance (60pF typical)

Fast switching speeds

Low on-resistance

Free from secondary breakdown

Low input and output leakage

Microchip TP2540 Type P-Channel MOSFET, 125 mA, 400 V Enhancement, 3-Pin TO-243 TP2540N8-G

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง