Microchip TN2540 Type N-Channel MOSFET, 260 mA, 400 V Enhancement, 3-Pin TO-243

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2000 ชิ้น)*

THB88,342.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB94,526.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 02 กุมภาพันธ์ 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
2000 - 2000THB44.171THB88,342.00
4000 - 6000THB43.21THB86,420.00
8000 +THB42.25THB84,500.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
177-9693
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
TN2540N8-G
ผู้ผลิต:
Microchip
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Microchip

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

260mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

400V

Package Type

TO-243

Series

TN2540

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

12Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

1.6W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.8V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

1.6mm

Width

2.6 mm

Standards/Approvals

No

Length

4.6mm

Automotive Standard

No

This low threshold, enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and well-proven, silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where very low threshold voltage, high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired.

Low threshold (2.0V max.)

High input impedance

Low input capacitance (125pF max.)

Fast switching speeds

Low on-resistance

Free from secondary breakdown

Low input and output leakage

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง