Microchip TN2106 Type N-Channel MOSFET, 280 mA, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 TN2106K1-G
- RS Stock No.:
- 177-9842
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- TN2106K1-G
- ผู้ผลิต:
- Microchip
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 20 ชิ้น)*
THB395.20
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB422.80
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 2,340 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 20 - 740 | THB19.76 | THB395.20 |
| 760 - 1480 | THB19.266 | THB385.32 |
| 1500 + | THB18.97 | THB379.40 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 177-9842
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- TN2106K1-G
- ผู้ผลิต:
- Microchip
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Microchip | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 280mA | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Series | TN2106 | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 5Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.8V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 360mW | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 3.04mm | |
| Width | 1.4 mm | |
| Height | 1.02mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Microchip | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 280mA | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Series TN2106 | ||
Package Type SOT-23 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 5Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.8V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 360mW | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 3.04mm | ||
Width 1.4 mm | ||
Height 1.02mm | ||
Automotive Standard No | ||
This low threshold, enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and well-proven, silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. Vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where very low threshold voltage, high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired.
Free from secondary breakdown
Low power drive requirement
Ease of paralleling
Low CISS and fast switching speeds
Excellent thermal stability
Integral source-drain diode
High input impedance and high gain
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Microchip TN2106 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Microchip TN2106 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-92
- Microchip TN2106 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-92 TN2106N3-G
- onsemi NDS7002A Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- onsemi NDS7002A Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 NDS7002A
- onsemi Isolated 2 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 6-Pin SOT-563 2N7002V
- onsemi Isolated 2 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 6-Pin SOT-563
- Infineon SIPMOS Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SC-70 BSS138WH6433XTMA1