Microchip TN2106 Type N-Channel MOSFET, 280 mA, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23

RS Stock No.:: 177-9691
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: TN2106K1-G
ผู้ผลิต:: Microchip

Microchip TN2106 Type N-Channel MOSFET, 280 mA, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB51,126.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB54,705.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 09 กุมภาพันธ์ 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
3000 - 3000	THB17.042	THB51,126.00
6000 - 9000	THB16.672	THB50,016.00
12000 +	THB16.301	THB48,903.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 177-9691
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: TN2106K1-G
ผู้ผลิต:: Microchip

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Microchip
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	280mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Package Type	SOT-23
	Series	TN2106
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	5Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	360mW
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Forward Voltage Vf	1.8V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	1.02mm
	Length	3.04mm
	Width	1.4 mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Microchip
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 280mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Package Type SOT-23
	Series TN2106
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 5Ω
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 360mW
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Forward Voltage Vf 1.8V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 1.02mm
	Length 3.04mm
	Width 1.4 mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet

This low threshold, enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and well-proven, silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. Vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where very low threshold voltage, high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired.

Free from secondary breakdown

Low power drive requirement

Ease of paralleling

Low CISS and fast switching speeds

Excellent thermal stability

Integral source-drain diode

High input impedance and high gain

Microchip TN2106 Type N-Channel MOSFET, 280 mA, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง