Infineon SIPMOS Type N-Channel MOSFET, 280 mA, 60 V Enhancement, 3-Pin SC-70 BSS138WH6433XTMA1
- RS Stock No.:
- 165-5731
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSS138WH6433XTMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 10000 ชิ้น)*
THB17,580.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB18,810.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 22 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 10000 - 10000 | THB1.758 | THB17,580.00 |
| 20000 + | THB1.705 | THB17,050.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 165-5731
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSS138WH6433XTMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 280mA | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Series | SIPMOS | |
| Package Type | SC-70 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 3.5Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 500mW | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 1nC | |
| Forward Voltage Vf | 0.85V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 0.8mm | |
| Width | 1.25 mm | |
| Length | 2mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 280mA | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Series SIPMOS | ||
Package Type SC-70 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 3.5Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 500mW | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 1nC | ||
Forward Voltage Vf 0.85V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 0.8mm | ||
Width 1.25 mm | ||
Length 2mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFETs
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon SIPMOS Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SC-70
- Infineon SIPMOS Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SC-70
- Infineon SIPMOS Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SC-70 BSS84PWH6327XTSA1
- onsemi NDS7002A Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Microchip TN2106 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 TN2106K1-G
- Microchip TN2106 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- onsemi NDS7002A Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 NDS7002A
- DiodesZetex Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin E-Line