Microchip Single TN0110 1 N-Channel MOSFET, 350 mA, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-92 TN0110N3-G

RS Stock No.:: 177-9742
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: TN0110N3-G
ผู้ผลิต:: Microchip

Microchip Single TN0110 1 N-Channel MOSFET, 350 mA, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-92 TN0110N3-G

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้

เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้

RS Stock No.:: 177-9742
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: TN0110N3-G
ผู้ผลิต:: Microchip

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Microchip
	Transistor Configuration	Single
	Series	TN0110
	Number of Elements per Chip	1
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current (Id)	350 mA
	Maximum Drain Source Voltage (Vds)	100 V
	Channel Mode	Enhancement
	Pin Count	3
	Package Type	TO-92
	Forward Voltage (Vf)	1.5 V
	Height	5.33 mm
	Length	5.08 mm
	Maximum Drain Source Resistance (Rds)	4.5 Ω
	Maximum Gate Source Voltage (Vgs)	20 V
	Maximum Operating Temperature	150 °C
	Maximum Power Dissipation (Pd)	1 W
	Minimum Operating Temperature	-55 °C
	Mount Type	Through Hole
	Width	4.06 mm

	เลือกทั้งหมด
	Brand Microchip
	Transistor Configuration Single
	Series TN0110
	Number of Elements per Chip 1
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current (Id) 350 mA
	Maximum Drain Source Voltage (Vds) 100 V
	Channel Mode Enhancement
	Pin Count 3
	Package Type TO-92
	Forward Voltage (Vf) 1.5 V
	Height 5.33 mm
	Length 5.08 mm
	Maximum Drain Source Resistance (Rds) 4.5 Ω
	Maximum Gate Source Voltage (Vgs) 20 V
	Maximum Operating Temperature 150 °C
	Maximum Power Dissipation (Pd) 1 W
	Minimum Operating Temperature -55 °C
	Mount Type Through Hole
	Width 4.06 mm

Datasheet

COO (Country of Origin):: TW

This low threshold, enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and well-proven, silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. Vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where very low threshold voltage, high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired.

Low threshold - 2.0V max.

High input impedance

Low input capacitance - 50pF typical

Fast switching speeds

Low on-resistance

Free from secondary breakdown

Low input and output leakage

Microchip Single TN0110 1 N-Channel MOSFET, 350 mA, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-92 TN0110N3-G

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง