onsemi Dual NVMFD5C680NL 2 Type N-Channel MOSFET, 26 A, 60 V Enhancement, 8-Pin DFN NVMFD5C680NLT1G
- RS Stock No.:
- 172-3375
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NVMFD5C680NLT1G
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 25 ชิ้น)*
THB1,083.80
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB1,159.675
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- 1,500 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 25 - 350 | THB43.352 | THB1,083.80 |
| 375 - 725 | THB42.268 | THB1,056.70 |
| 750 + | THB41.618 | THB1,040.45 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 172-3375
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NVMFD5C680NLT1G
- ผู้ผลิต:
- onsemi
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 26A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | DFN | |
| Series | NVMFD5C680NL | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 41mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 5nC | |
| Forward Voltage Vf | 0.9V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 19W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Transistor Configuration | Dual | |
| Length | 6.1mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 1.05mm | |
| Width | 5.1 mm | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 26A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type DFN | ||
Series NVMFD5C680NL | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 41mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 5nC | ||
Forward Voltage Vf 0.9V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 19W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Transistor Configuration Dual | ||
Length 6.1mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 1.05mm | ||
Width 5.1 mm | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi Dual NVMFD5C680NL 2 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin DFN
- onsemi Dual NVMFD5C680NL 2 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin DFN NVMFD5C680NLWFT1G
- onsemi Dual 2 Type N-Channel Power MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin DFN
- onsemi Dual NVMFD5C674NL 2 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin DFN
- onsemi Dual NVMFD5C446NL 2 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin DFN
- onsemi Dual 2 Type N-Channel Power MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin DFN
- onsemi Dual 2 Type N-Channel Power MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin DFN
- onsemi Dual 2 Type N-Channel Power MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin DFN