MPN

onsemi Dual 2 Type N-Channel Power MOSFET, 68 A, 60 V Enhancement, 8-Pin DFN

RS Stock No.:: 178-4301
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: NVMFD5C668NLT1G
ผู้ผลิต:: onsemi

onsemi Dual 2 Type N-Channel Power MOSFET, 68 A, 60 V Enhancement, 8-Pin DFN

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 1500 ชิ้น)*

THB94,404.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB101,013.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
1500 - 1500	THB62.936	THB94,404.00
3000 - 4500	THB61.048	THB91,572.00
6000 +	THB59.216	THB88,824.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 178-4301
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: NVMFD5C668NLT1G
ผู้ผลิต:: onsemi

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	onsemi
	Channel Type	Type N
	Product Type	Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	68A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Package Type	DFN
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	6.5mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	0.85V
	Minimum Operating Temperature	175°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	9.8nC
	Maximum Power Dissipation Pd	57.5W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Transistor Configuration	Dual
	Maximum Operating Temperature	-55°C
	Standards/Approvals	No
	Length	5.1mm
	Height	1.05mm
	Width	6.1 mm
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand onsemi
	Channel Type Type N
	Product Type Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 68A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Package Type DFN
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 6.5mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 0.85V
	Minimum Operating Temperature 175°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 9.8nC
	Maximum Power Dissipation Pd 57.5W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Transistor Configuration Dual
	Maximum Operating Temperature -55°C
	Standards/Approvals No
	Length 5.1mm
	Height 1.05mm
	Width 6.1 mm
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard AEC-Q101

COO (Country of Origin):: MY

Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design

Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses

Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses

NVMFD5C668NLWF − Wettable Flank Option for Enhanced Optical Inspection

PPAP Capable

These Devices are Pb−Free

onsemi Dual 2 Type N-Channel Power MOSFET, 68 A, 60 V Enhancement, 8-Pin DFN

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง