onsemi Dual 2 Type N-Channel Power MOSFET, 70 A, 40 V Enhancement, 8-Pin DFN
- RS Stock No.:
- 178-4297
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NVMFD5C462NT1G
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 1500 ชิ้น)*
THB66,922.50
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB71,607.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 1500 - 1500 | THB44.615 | THB66,922.50 |
| 3000 - 4500 | THB43.277 | THB64,915.50 |
| 6000 + | THB41.979 | THB62,968.50 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 178-4297
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NVMFD5C462NT1G
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | Power MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 70A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | DFN | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 5.4mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | 175°C | |
| Forward Voltage Vf | 0.86V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 50W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 16nC | |
| Maximum Operating Temperature | -55°C | |
| Transistor Configuration | Dual | |
| Height | 1.05mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 5.1mm | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type Power MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 70A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type DFN | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 5.4mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature 175°C | ||
Forward Voltage Vf 0.86V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 50W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 16nC | ||
Maximum Operating Temperature -55°C | ||
Transistor Configuration Dual | ||
Height 1.05mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 5.1mm | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Automotive Power MOSFET in a 5 x 6 mm flat lead package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. Wettable Flank Option available for Enhanced Optical Inspection.Suitable for automotive applications.
Features
Low on resistance
High current capability
Benefits
Minimal conduction losses
Robust load performance
Safeguard against voltage overstress failures
Suitable for automotive applications
Applications
Solenoid driver
Low side / high side driver
End Products
Automotive engine controllers
Antilock braking systems
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi Dual 2 Type N-Channel Power MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin DFN NVMFD5C462NT1G
- onsemi Dual 2 Type N-Channel Power MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin DFN
- onsemi Dual 2 Type N-Channel Power MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin DFN
- onsemi Dual 2 Type N-Channel Power MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin DFN
- onsemi Dual 2 Type N-Channel Power MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin DFN
- onsemi Dual 2 Type N-Channel Power MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin DFN
- onsemi Dual 2 Type N-Channel Power MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin DFN
- onsemi Dual 2 Type N-Channel Power MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin DFN
