ROHM RD3P130SP Type P-Channel MOSFET, 13 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 RD3P130SPTL1
- RS Stock No.:
- 172-0456
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- RD3P130SPTL1
- ผู้ผลิต:
- ROHM
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
เพิ่มอีก 250 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ THB268.00
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*
THB429.60
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB459.70
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- 1,040 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* | การประหยัด |
|---|---|---|---|
| 10 - 240 | THB42.96 | THB429.60 | - |
| 250 - 740 | THB41.888 | THB418.88 | THB268.00 |
| 750 - 1190 | THB40.841 | THB408.41 | THB1,589.25 |
| 1200 - 1990 | THB39.82 | THB398.20 | THB3,768.00 |
| 2000 + | THB38.826 | THB388.26 | THB8,268.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 172-0456
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- RD3P130SPTL1
- ผู้ผลิต:
- ROHM
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 13A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Series | RD3P130SP | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 200mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 40nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 2.3mm | |
| Width | 6.4mm | |
| Standards/Approvals | Pb-free lead plating, RoHS | |
| Length | 6.8mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 13A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type TO-252 | ||
Series RD3P130SP | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 200mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 40nC | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 2W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 2.3mm | ||
Width 6.4mm | ||
Standards/Approvals Pb-free lead plating, RoHS | ||
Length 6.8mm | ||
Automotive Standard No | ||
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- ROHM RD3P130SP Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 RD3P130SPTL1
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRFR5410TRPBF
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRFR5410TRLPBF
- Infineon AUIRF Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 AUIRFR5410TRL
- Vishay SiHF9540S Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHF9540STRL-GE3
- ROHM RD3 Type P-Channel MOSFET 100 V, 3-Pin TO-252 RD3P130SPFRATL
- Infineon AUIRF Type P-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-252 AUIRFR6215TRL
- DiodesZetex DMP Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin TO-252 DMP3010LK3-13