Taiwan Semiconductor Type N-Channel MOSFET, 50 A, 60 V Enhancement, 4-Pin TO-252
- RS Stock No.:
- 171-3617
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- TSM230N06CP ROG
- ผู้ผลิต:
- Taiwan Semiconductor
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*
THB33,170.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB35,492.50
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 5,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | THB13.268 | THB33,170.00 |
| 5000 - 7500 | THB12.87 | THB32,175.00 |
| 10000 + | THB12.484 | THB31,210.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 171-3617
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- TSM230N06CP ROG
- ผู้ผลิต:
- Taiwan Semiconductor
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Taiwan Semiconductor | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 50A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 28mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 53W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 28nC | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 2.3mm | |
| Length | 6.5mm | |
| Width | 5.8 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | IEC 61249 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Taiwan Semiconductor | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 50A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 28mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 53W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 28nC | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 2.3mm | ||
Length 6.5mm | ||
Width 5.8 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard IEC 61249 | ||
The Taiwan Semiconductor 60V, 50A, 28mΩ, 3 pin, N-channel power MOSFET has single transistor configuration and enhancement channel mode.
100% avalanche tested
Fast switching
RoHS compliant
Operating temperature ranges between -55 °C to +150 °C
53W max. power dissipation
Gate threshold voltage ranges between 1.2V-2.5V
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Taiwan Semiconductor Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 4-Pin TO-252 TSM230N06CP ROG
- Taiwan Semiconductor Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 4-Pin TO-252 TSM090N03CP ROG
- Taiwan Semiconductor, Voltage Regulator 26V TO-252 3-Pin
- Taiwan Semiconductor Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- onsemi PowerTrench Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252
