Toshiba Type N-Channel MOSFET, 65 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 TK65S04N1L

RS Stock No.:: 171-2494
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: TK65S04N1L
ผู้ผลิต:: Toshiba

Toshiba Type N-Channel MOSFET, 65 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 TK65S04N1L

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB516.99

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB553.18

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

2,830 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
10 - 490	THB51.699	THB516.99
500 - 990	THB50.406	THB504.06
1000 +	THB49.631	THB496.31

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 171-2494
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: TK65S04N1L
ผู้ผลิต:: Toshiba

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Toshiba
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	65A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Package Type	TO-252
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	4.3mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	39nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Forward Voltage Vf	-1.2V
	Maximum Power Dissipation Pd	107W
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Length	6.5mm
	Width	7 mm
	Standards/Approvals	No
	Height	2.3mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Toshiba
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 65A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Package Type TO-252
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 4.3mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 39nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Forward Voltage Vf -1.2V
	Maximum Power Dissipation Pd 107W
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Length 6.5mm
	Width 7 mm
	Standards/Approvals No
	Height 2.3mm
	Automotive Standard AEC-Q101

สถานะRoHS: ได้รับการยกเว้น

COO (Country of Origin):: JP

Applications

Automotive

Motor Drivers

Switching Voltage Regulators

Features

Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 3.3 mΩ (typ

Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 40 V)

Enhancement mode: Vth = 1.5 to 2.5 V (VDS = 10 V, ID = 0.3 mA)

Toshiba Type N-Channel MOSFET, 65 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 TK65S04N1L

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง