Toshiba Type N-Channel MOSFET, 10 μA, 250 V Enhancement, 3-Pin TO-252 TK8P25DA,RQ(S
- RS Stock No.:
- 174-4116
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- TK8P25DA,RQ(S
- ผู้ผลิต:
- Toshiba
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 25 ชิ้น)*
THB284.40
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB304.30
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 175 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
- เพิ่มอีก 600 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 02 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | THB11.376 | THB284.40 |
| 50 - 100 | THB11.092 | THB277.30 |
| 125 - 225 | THB10.814 | THB270.35 |
| 250 - 600 | THB10.544 | THB263.60 |
| 625 + | THB10.28 | THB257.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 174-4116
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- TK8P25DA,RQ(S
- ผู้ผลิต:
- Toshiba
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Toshiba | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 10μA | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 250V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 500mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 55W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | -1.7V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 16nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 6.1 mm | |
| Length | 6.6mm | |
| Height | 2.3mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Toshiba | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 10μA | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 250V | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 500mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 55W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf -1.7V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 16nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 6.1 mm | ||
Length 6.6mm | ||
Height 2.3mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The Toshiba MOSFET is silicon N-channel MOS with 3 pin and surface mounting type.
Low drain-source on-resistance
Low leakage current
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Toshiba Type N-Channel MOSFET 500 V EnhancementRQ(S
- Toshiba DTMOSIV Type N-Channel MOSFET 650 V EnhancementRQ(S
- Toshiba DTMOSIV Type N-Channel MOSFET 650 V EnhancementRQ(S
- Toshiba Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Toshiba Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Toshiba Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Toshiba Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Toshiba Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 TK100S04N1L