Toshiba N-Channel MOSFET, 10 μA, 250 V Enhancement, 3-Pin TO-252 TK8P25DA,RQ(S

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 25 ชิ้น)*

THB565.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB604.50

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 25 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
  • เพิ่มอีก 25 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 14 กันยายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
  • เพิ่มอีก 550 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 18 กันยายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
25 - 25THB22.60THB565.00
50 - 100THB22.035THB550.88
125 - 225THB21.485THB537.13
250 - 600THB20.948THB523.70
625 +THB20.424THB510.60

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
174-4116
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
TK8P25DA,RQ(S
ผู้ผลิต:
Toshiba
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Toshiba

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

10μA

Maximum Drain Source Voltage Vds

250V

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

500mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

16nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

55W

Forward Voltage Vf

-1.7V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Width

6.1mm

Length

6.6mm

Height

2.3mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN
The Toshiba MOSFET is silicon N-channel MOS with 3 pin and surface mounting type.

Low drain-source on-resistance

Low leakage current

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง