Toshiba Type N-Channel MOSFET, 65 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- RS Stock No.:
- 171-2428
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- TK65S04N1L
- ผู้ผลิต:
- Toshiba
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2000 ชิ้น)*
THB64,988.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB69,538.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 2,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 2000 - 2000 | THB32.494 | THB64,988.00 |
| 4000 - 6000 | THB31.52 | THB63,040.00 |
| 8000 + | THB30.574 | THB61,148.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 171-2428
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- TK65S04N1L
- ผู้ผลิต:
- Toshiba
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Toshiba | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 65A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 4.3mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 107W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 39nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | -1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 7 mm | |
| Length | 6.5mm | |
| Height | 2.3mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Toshiba | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 65A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 4.3mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 107W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 39nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf -1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 7 mm | ||
Length 6.5mm | ||
Height 2.3mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
สถานะRoHS: ได้รับการยกเว้น
- COO (Country of Origin):
- JP
Applications
Automotive
Motor Drivers
Switching Voltage Regulators
Features
Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 3.3 mΩ (typ
Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 40 V)
Enhancement mode: Vth = 1.5 to 2.5 V (VDS = 10 V, ID = 0.3 mA)
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Toshiba Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 TK65S04N1L
- Toshiba Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Toshiba Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 TK100S04N1L
- Toshiba Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Toshiba Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Toshiba Type N-Channel MOSFET 250 V EnhancementRQ(S
- Toshiba Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 TK8S06K3L
- Toshiba Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 TK60S06K3L