Toshiba Type N-Channel MOSFET, 3 A, 500 V Enhancement, 3-Pin TO-252 TK3P50D,RQ(S
- RS Stock No.:
- 144-5226
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- TK3P50D,RQ(S
- ผู้ผลิต:
- Toshiba
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 20 ชิ้น)*
THB329.96
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB353.06
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 440 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | THB16.498 | THB329.96 |
| 100 - 180 | THB16.086 | THB321.72 |
| 200 - 980 | THB15.684 | THB313.68 |
| 1000 - 1980 | THB15.292 | THB305.84 |
| 2000 + | THB14.91 | THB298.20 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 144-5226
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- TK3P50D,RQ(S
- ผู้ผลิต:
- Toshiba
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Toshiba | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 3A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 500V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 3Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 7nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 60W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Forward Voltage Vf | -1.7V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 2.3mm | |
| Length | 6.6mm | |
| Width | 6.1 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Toshiba | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 3A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 500V | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 3Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 7nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 60W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Forward Voltage Vf -1.7V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 2.3mm | ||
Length 6.6mm | ||
Width 6.1 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
MOSFET N-Channel, TK3x Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Toshiba Type N-Channel MOSFET 250 V EnhancementRQ(S
- Toshiba Type N-Channel MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-252 TK7P50D(T6RSS-Q)
- Toshiba DTMOSIV Type N-Channel MOSFET 650 V EnhancementRQ(S
- Vishay Type N-Channel Power MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SIHD3N50D-GE3
- Toshiba Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Toshiba Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Toshiba Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Toshiba Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252
