Toshiba Type P-Channel MOSFET, 60 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 TJ60S04M3L

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB334.56

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB357.98

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 85 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
  • เพิ่มอีก 1,385 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 01 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
5 - 495THB66.912THB334.56
500 - 995THB65.238THB326.19
1000 +THB64.234THB321.17

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
171-2485
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
TJ60S04M3L
ผู้ผลิต:
Toshiba
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Toshiba

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

60A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

9.4mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

10 V

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Power Dissipation Pd

90W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

125nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

2.3mm

Standards/Approvals

No

Width

7 mm

Length

6.5mm

Automotive Standard

AEC-Q101

สถานะRoHS: ไม่สามารถใช้ได้

COO (Country of Origin):
JP
Applications

Automotive

Motor Drivers

DC-DC Converters

Switching Voltage Regulators

Features

Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 7.0 mΩ (typ.) (VGS = -10 V)

Low leakage current: IDSS = -10 μA (max) (VDS = -40 V)

Enhancement mode: Vth = -2.0 to -3.0 V (VDS = -10 V, ID = -1 mA)

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง