Toshiba Type P-Channel MOSFET, 60 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- RS Stock No.:
- 171-2414
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- TJ60S04M3L
- ผู้ผลิต:
- Toshiba
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2000 ชิ้น)*
THB87,234.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB93,340.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 25 กันยายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 2000 - 2000 | THB43.617 | THB87,234.00 |
| 4000 - 6000 | THB42.669 | THB85,338.00 |
| 8000 + | THB41.721 | THB83,442.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 171-2414
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- TJ60S04M3L
- ผู้ผลิต:
- Toshiba
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Toshiba | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 60A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 9.4mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 125nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 10 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 90W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 6.5mm | |
| Width | 7 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 2.3mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Toshiba | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 60A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 9.4mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 125nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 10 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 90W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 6.5mm | ||
Width 7 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 2.3mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
สถานะRoHS: ได้รับการยกเว้น
- COO (Country of Origin):
- JP
Applications
Automotive
Motor Drivers
DC-DC Converters
Switching Voltage Regulators
Features
Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 7.0 mΩ (typ.) (VGS = -10 V)
Low leakage current: IDSS = -10 μA (max) (VDS = -40 V)
Enhancement mode: Vth = -2.0 to -3.0 V (VDS = -10 V, ID = -1 mA)
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Toshiba Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 TJ60S04M3L
- Toshiba Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Toshiba Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 TJ8S06M3L
- Toshiba Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Toshiba Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 TJ15P04M3
- Toshiba Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Toshiba Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 TK60S06K3L
- Infineon SIPMOS Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252