P-Channel MOSFET, 6.2 A, 30 V, 8-Pin SOIC Vishay SQ4431EY-T1_GE3

RS Stock No.:: 819-3920
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SQ4431EY-T1_GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay

P-Channel MOSFET, 6.2 A, 30 V, 8-Pin SOIC Vishay SQ4431EY-T1_GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ราคา / Price Each: (In a Pack of 20)

THB25.47

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB27.25

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

สินค้าหมดชั่วคราว (Temporarily out of stock) - จะเป็นแบ๊คออเดอร์จัดส่ง (back order for despatch) 14/03/2025, จัดส่งภายใน (delivery within) 4-6 วันทำการ (working days)*

* วันที่จัดส่งอาจเปลี่ยนแปลงได้ตามจำนวนสินค้าที่คุณเลือกหรือที่อยู่จัดส่งของคุณ

Units	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค**
20 - 620	THB25.47	THB509.40
640 - 1240	THB24.833	THB496.66
1260 +	THB24.451	THB489.02

**ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 819-3920
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SQ4431EY-T1_GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay

คุณสมบัติ	Value
Channel Type	P
Maximum Continuous Drain Current	6.2 A
Maximum Drain Source Voltage	30 V
Package Type	SOIC
Series	SQ Rugged
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	8
Maximum Drain Source Resistance	52 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage	1.5V
Maximum Power Dissipation	6 W
Transistor Configuration	Single
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Length	5mm
Typical Gate Charge @ Vgs	25 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip	1
Transistor Material	Si
Width	4mm
Height	1.55mm
Minimum Operating Temperature	-55 °C

P-Channel MOSFET, 6.2 A, 30 V, 8-Pin SOIC Vishay SQ4431EY-T1_GE3

P-Channel MOSFET, SQ Rugged Series, Vishay Semiconductor

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง