onsemi 2N7000 Type N-Channel MOSFET, 200 mA, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-92
- RS Stock No.:
- 169-8553
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- 2N7000
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 10000 ชิ้น)*
THB42,860.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB45,860.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- 10,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 01 กรกฎาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 10000 - 10000 | THB4.286 | THB42,860.00 |
| 20000 + | THB4.157 | THB41,570.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 169-8553
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- 2N7000
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 200mA | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | TO-92 | |
| Series | 2N7000 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 5Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 0.8nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 400mW | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 0.88V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 4.19 mm | |
| Height | 5.33mm | |
| Length | 5.2mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 200mA | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type TO-92 | ||
Series 2N7000 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 5Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 0.8nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 400mW | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 0.88V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 4.19 mm | ||
Height 5.33mm | ||
Length 5.2mm | ||
Automotive Standard No | ||
Advanced Power MOSFET, Fairchild Semiconductor
Avalanche Rugged Technology
Rugged Gate Oxide Technology
Lower Input Capacitance
Improved Gate Charge
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi 2N7000 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-92
- onsemi 2N7000 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-92 2N7000-D26Z
- onsemi 2N7000 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-92 2N7000TA
- onsemi 2N7000 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-92 2N7000
- Microchip 2N7000 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-92 2N7000-G
- Microchip 2N7000 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-92
- DiodesZetex Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Infineon SIPMOS Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SN7002NH6327XTSA2