onsemi 2N7000 N-Channel MOSFET, 200 mA, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-92 2N7000
- RS Stock No.:
- 169-8553
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- 2N7000
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
เพิ่มอีก 20000 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ 3%
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 10000 ชิ้น)*
THB51,520.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB55,130.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- 10,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 10 มีนาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* | การประหยัด |
|---|---|---|---|
| 10000 - 10000 | THB5.152 | THB51,520.00 | - |
| 20000 + | THB4.997 | THB49,970.00 | 3% |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 169-8553
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- 2N7000
- ผู้ผลิต:
- onsemi
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 200mA | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | TO-92 | |
| Series | 2N7000 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 5Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 0.8nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 400mW | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -20V, +20V | |
| Forward Voltage Vf | 880mV | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 5.2mm | |
| Height | 5.33mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 4.19mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 200mA | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type TO-92 | ||
Series 2N7000 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 5Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 0.8nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 400mW | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V | ||
Forward Voltage Vf 880mV | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 5.2mm | ||
Height 5.33mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 4.19mm | ||
Automotive Standard No | ||
Enhancement Mode N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semi
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi 2N7000 N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-92 2N7000-D26Z
- onsemi 2N7000 N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-92 2N7000
- onsemi 2N7000 N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-92 2N7000TA
- Microchip 2N7000 N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-92 2N7000-G
- DiodesZetex N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 ZVN4106FTA
- Infineon SN7002N N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT SN7002NH6433XTMA1
- Infineon SIPMOS N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SN7002NH6327XTSA2
