Infineon SIPMOS Type N-Channel MOSFET, 200 mA, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SN7002NH6327XTSA2
- RS Stock No.:
- 214-4476
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SN7002NH6327XTSA2
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 200 ชิ้น)*
THB602.80
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB645.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 4,400 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 200 - 600 | THB3.014 | THB602.80 |
| 800 - 1400 | THB2.939 | THB587.80 |
| 1600 + | THB2.894 | THB578.80 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 214-4476
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SN7002NH6327XTSA2
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 200mA | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Series | SIPMOS | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 5Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 0.36W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 1.5nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 60 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | IEC61249-2-21, AEC Q101 | |
| Automotive Standard | No | |
| Distrelec Product Id | 304-39-427 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 200mA | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type SOT-23 | ||
Series SIPMOS | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 5Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 0.36W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 1.5nC | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 60 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals IEC61249-2-21, AEC Q101 | ||
Automotive Standard No | ||
Distrelec Product Id 304-39-427 | ||
This Infineon SIPMOS Small signal MOSFETis ideally suited for space-constrained automotive and/or non-automotive applications. They can be found in almost all applications e.g. battery protection, battery charging, LED lighting and so on.
It is Halogen-free according to IEC61249-2-21
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon SIPMOS Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Infineon SIPMOS Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Nexperia BSS138AKA Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 BSS138AKAR
- Infineon SN7002I Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SN7002IXTSA1
- DiodesZetex Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 ZVN4106FTA
- Nexperia BSS138AKA Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Infineon SN7002I Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23