Infineon SIPMOS Type N-Channel MOSFET, 200 mA, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SN7002NH6327XTSA2

RS Stock No.:: 214-4476
Distrelec หมายเลขบทความ:: 304-39-427
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SN7002NH6327XTSA2
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon SIPMOS Type N-Channel MOSFET, 200 mA, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SN7002NH6327XTSA2

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 200 ชิ้น)*

THB814.80

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB871.80

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

2,600 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
200 - 600	THB4.074	THB814.80
800 - 1400	THB3.972	THB794.40
1600 +	THB3.911	THB782.20

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 214-4476
Distrelec หมายเลขบทความ:: 304-39-427
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SN7002NH6327XTSA2
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	200mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Series	SIPMOS
	Package Type	SOT-23
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	5Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	0.36W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	1.5nC
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	IEC61249-2-21, AEC Q101
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 200mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Series SIPMOS
	Package Type SOT-23
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 5Ω
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 0.36W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 1.5nC
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals IEC61249-2-21, AEC Q101
	Automotive Standard No

Datasheet - SN7002NH6327XTSA2

Infineon SIPMOS Series MOSFET, 60V Drain Source Voltage, 5Ω Drain Source Resistance - SN7002NH6327XTSA2

This MOSFET is a small-signal N-channel transistor designed for switching and control tasks in surface-mount assemblies. It operates as an enhancement-mode device and is built to withstand a wide ambient range, making it suitable for electronics that require compact, thermally resilient switching components.

Features and Benefits:

• 60V drain voltage for high-voltage switching capability
• 5Ω Rds(on) enabling controlled low-current conduction
• 200mA continuous drain current for small-signal loads
• 1.2V forward voltage supporting predictable diode drop
• 1.5nC typical gate charge for faster gate transitions
• 0.36W power dissipation for moderate thermal loading

Applications

• Suitable for battery-management signal switching circuits
• Ideal for low-current power routing in consumer electronics
• Used with small motor-driver interface circuits
• Can be used for level-shifting and signal multiplexing
• Suitable for sensor-conditioning and signal isolation tasks

What package and mounting type does it use for PCB assembly?

It is supplied in a SOT-23 package and intended for surface-mount placement.

How does it perform across temperature extremes in harsh environments?

It operates between -55°C and 150°C, providing stability for varied thermal conditions.

What gate and drain voltage limits must be observed during design?

The gate-to-source and drain-to-source voltages are both limited to 60V, which defines maximum applied voltages.

Are there industry material or process standards associated with the component?

It complies with IEC 61249-2-21 and meets AEC Q101 for automotive-qualification equivalence.