onsemi 2N7000 Type N-Channel MOSFET, 200 mA, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-92 2N7000-D26Z
- RS Stock No.:
- 184-4881
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- 2N7000-D26Z
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 100 ชิ้น)*
THB662.20
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB708.60
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 300 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
- เพิ่มอีก 2,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 04 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 100 - 400 | THB6.622 | THB662.20 |
| 500 - 900 | THB6.423 | THB642.30 |
| 1000 + | THB6.23 | THB623.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 184-4881
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- 2N7000-D26Z
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 200mA | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Series | 2N7000 | |
| Package Type | TO-92 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 9Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 400mW | |
| Forward Voltage Vf | 0.88V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 5.2mm | |
| Width | 4.19 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 5.33mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 200mA | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Series 2N7000 | ||
Package Type TO-92 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 9Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 400mW | ||
Forward Voltage Vf 0.88V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 5.2mm | ||
Width 4.19 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 5.33mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
These N-channel Small Signal MOSFETs are produced using ON Semiconductor's proprietary, high cell density, DMOS technology. These products have been designed to minimize on-state resistance while providing rugged, reliable, and fast switching performance. They can be used in most applications requiring up to 400 mA DC and can deliver pulsed currents up to 2 A. These products are particularly suited for low-voltage, low-current applications.
Voltage Controlled Small Signal Switch
High Saturation Current Capability
Rugged and Reliable
High Density Cell Design for Low RDS(ON)
Applications
Small Servo Motor Control
Power MOSFET Gate Drivers
Assorted Switching Applications
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi 2N7000 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-92 2N7000-D26Z
- onsemi 2N7000 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-92
- onsemi 2N7000 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-92 2N7000
- onsemi 2N7000 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-92 2N7000TA
- Microchip 2N7000 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-92 2N7000-G
- Microchip 2N7000 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-92
- DiodesZetex Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Nexperia BSS138AKA Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 BSS138AKAR