onsemi 2N7000 N-Channel MOSFET, 200 mA, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-92 2N7000

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 20 ชิ้น)*

THB280.02

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB299.62

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 3,940 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 14 กันยายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
20 - 2480THB14.001THB280.02
2500 - 12480THB13.721THB274.42
12500 +THB11.292THB225.84

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
671-4733
Distrelec หมายเลขบทความ:
304-43-722
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
2N7000
ผู้ผลิต:
onsemi
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

onsemi

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

200mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

2N7000

Package Type

TO-92

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

0.88V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

0.8nC

Maximum Power Dissipation Pd

400mW

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

5.33mm

Length

5.2mm

Standards/Approvals

No

Width

4.19mm

Automotive Standard

No

Advanced Power MOSFET, Fairchild Semiconductor


Avalanche Rugged Technology

Rugged Gate Oxide Technology

Lower Input Capacitance

Improved Gate Charge

MOSFET Transistors, ON Semi


ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.

ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง