Infineon Isolated HEXFET 2 Type P-Channel MOSFET, 3.4 A, 55 V Enhancement, 8-Pin SOIC

RS Stock No.:: 124-8750
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRF7342TRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon Isolated HEXFET 2 Type P-Channel MOSFET, 3.4 A, 55 V Enhancement, 8-Pin SOIC

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 4000 ชิ้น)*

THB66,728.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB71,400.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 06 เมษายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
4000 - 4000	THB16.682	THB66,728.00
8000 - 12000	THB16.181	THB64,724.00
16000 +	THB15.696	THB62,784.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 124-8750
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRF7342TRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type P
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	3.4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	55V
	Package Type	SOIC
	Series	HEXFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	170mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	-1.2V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	2W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	26nC
	Transistor Configuration	Isolated
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	1.5mm
	Length	5mm
	Width	4 mm
	Standards/Approvals	No
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type P
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 3.4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 55V
	Package Type SOIC
	Series HEXFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 170mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf -1.2V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 2W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 26nC
	Transistor Configuration Isolated
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 1.5mm
	Length 5mm
	Width 4 mm
	Standards/Approvals No
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard No

COO (Country of Origin):: CN

Infineon HEXFET Series MOSFET, 3.4A Maximum Continuous Drain Current, 2W Maximum Power Dissipation - IRF7342TRPBF

This power MOSFET is intended for efficient power management in various electronic devices. Featuring a P-channel configuration, it is suitable for high-performance switching and amplification operations. Its robust specifications meet the essential requirements of engineers and designers in the automation and electrical sectors.

Features & Benefits

• Maximum continuous drain current of 3.4A

• Drain-source voltage tolerance of up to 55V

• Surface mount design allows for straightforward installations

• Low maximum drain-source resistance improves energy efficiency

• Gate threshold voltage of 1 V promotes dependable switching

Applications

• Power management circuits for improved energy utilisation

• Automation equipment requiring robust switching capabilities

• Suitable for motor control systems

• Used in power converters for electronics

• Common in battery management systems

What are the thermal limits for operation?

It operates effectively within a temperature range of -55°C to +150°C, ensuring reliability in various environments.

How does this component enhance circuit efficiency?

The low Rds(on) Value reduces power loss during operation, thereby enhancing overall circuit efficiency.

Can this MOSFET handle pulsed currents?

Yes, it can accommodate pulsed drain currents of up to 27A, suitable for transient conditions.

What type of packaging is it available in?

It is available in an SO-8 surface mount package, optimising layout flexibility and manufacturing processes.

Is there a specific gate voltage for optimal performance?

The gate-to-source voltage should ideally be maintained at ±20V for optimal performance and longevity of the device.