Infineon Isolated HEXFET 2 Type N, Type P-Channel MOSFET, 2.7 A, 30 V Enhancement, 8-Pin MSOP IRF7509TRPBF
- RS Stock No.:
- 301-192
- Distrelec หมายเลขบทความ:
- 302-84-022
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF7509TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB28.60
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB30.60
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- 32 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 999 | THB28.60 |
| 1000 - 1999 | THB27.88 |
| 2000 + | THB27.43 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 301-192
- Distrelec หมายเลขบทความ:
- 302-84-022
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF7509TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N, Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 2.7A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | MSOP | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 200mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 7.5nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.25W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Transistor Configuration | Isolated | |
| Length | 3mm | |
| Height | 0.86mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 3 mm | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Automotive Standard | No | |
| Distrelec Product Id | 30284022 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N, Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 2.7A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type MSOP | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 200mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 7.5nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.25W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Transistor Configuration Isolated | ||
Length 3mm | ||
Height 0.86mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 3 mm | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Automotive Standard No | ||
Distrelec Product Id 30284022 | ||
Dual N/P-Channel Power MOSFET, Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon Isolated HEXFET 2 Type N 2.7 A 8-Pin MSOP
- Infineon Isolated HEXFET 2 Type P 2.4 A 8-Pin MSOP
- Infineon Isolated HEXFET 2 Type P 2.4 A 8-Pin MSOP IRF7507TRPBF
- Infineon Isolated HEXFET 2 Type N 4 A 8-Pin SOIC
- Infineon Isolated HEXFET 2 Type N 4 A 8-Pin SOIC IRF7309TRPBF
- Infineon Isolated HEXFET 2 Type P 3.5 A 8-Pin SOIC
- Infineon Isolated HEXFET 2 Type P 3.5 A 8-Pin SOIC
- Infineon Isolated HEXFET 2 Type P 6.5 A 8-Pin SOIC
