IXYS Trench Type N-Channel MOSFET, 110 A, 250 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- RS Stock No.:
- 168-4583
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IXTH110N25T
- ผู้ผลิต:
- IXYS
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 30 ชิ้น)*
THB7,929.57
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB8,484.63
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 30 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | THB264.319 | THB7,929.57 |
| 60 - 90 | THB251.103 | THB7,533.09 |
| 120 + | THB238.548 | THB7,156.44 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 168-4583
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IXTH110N25T
- ผู้ผลิต:
- IXYS
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | IXYS | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 110A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 250V | |
| Package Type | TO-247 | |
| Series | Trench | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 24mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 157nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 694W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 21.46mm | |
| Length | 16.26mm | |
| Width | 5.3 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand IXYS | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 110A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 250V | ||
Package Type TO-247 | ||
Series Trench | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 24mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 157nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 694W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 21.46mm | ||
Length 16.26mm | ||
Width 5.3 mm | ||
Automotive Standard No | ||
N-Channel Trench-Gate Power MOSFET, IXYS
Trench Gate MOSFET Technology
Low on-state Resistance RDS(on)
Superior avalanche ruggedness
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- IXYS Trench Type N-Channel MOSFET 250 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IXTH110N25T
- IXYS Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- IXYS Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IXFH110N10P
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IRFP064NPBF
- Infineon CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET Type N-Channel MOSFET 2000 V Enhancement, 4-Pin PG-TO-247-4-PLUS-NT14
- IXYS HiperFET Type N-Channel Power MOSFET 250 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- IXYS Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin PLUS264
