IXYS Trench Type N-Channel MOSFET, 110 A, 250 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IXTH110N25T

RS Stock No.:: 125-8047
Distrelec หมายเลขบทความ:: 302-53-421
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IXTH110N25T
ผู้ผลิต:: IXYS

IXYS Trench Type N-Channel MOSFET, 110 A, 250 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IXTH110N25T

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB335.87

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB359.38

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

41 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย
1 - 4	THB335.87
5 - 9	THB329.16
10 - 24	THB322.45
25 - 49	THB316.06
50 +	THB309.67

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 125-8047
Distrelec หมายเลขบทความ:: 302-53-421
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IXTH110N25T
ผู้ผลิต:: IXYS

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	IXYS
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	110A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	250V
	Series	Trench
	Package Type	TO-247
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	24mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Power Dissipation Pd	694W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	157nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	16.26mm
	Height	21.46mm
	Width	5.3 mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No
	Distrelec Product Id	30253421

	เลือกทั้งหมด
	Brand IXYS
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 110A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 250V
	Series Trench
	Package Type TO-247
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 24mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Power Dissipation Pd 694W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 157nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 16.26mm
	Height 21.46mm
	Width 5.3 mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No
	Distrelec Product Id 30253421

N-Channel Trench-Gate Power MOSFET, IXYS

Trench Gate MOSFET Technology

Low on-state Resistance RDS(on)

Superior avalanche ruggedness

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

IXYS Trench Type N-Channel MOSFET, 110 A, 250 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IXTH110N25T

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

N-Channel Trench-Gate Power MOSFET, IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง