IXYS HiperFET Type N-Channel MOSFET, 110 A, 850 V Enhancement, 4-Pin SOT-227 IXFN110N85X

RS Stock No.:: 146-4249
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IXFN110N85X
ผู้ผลิต:: IXYS

IXYS HiperFET Type N-Channel MOSFET, 110 A, 850 V Enhancement, 4-Pin SOT-227 IXFN110N85X

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 10 ชิ้น)*

THB23,045.58

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB24,658.77

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 25 มกราคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อหลอด*
10 - 10	THB2,304.558	THB23,045.58
20 - 30	THB2,235.421	THB22,354.21
40 +	THB2,168.357	THB21,683.57

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 146-4249
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IXFN110N85X
ผู้ผลิต:: IXYS

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	IXYS
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	110A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	850V
	Package Type	SOT-227
	Series	HiperFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	33mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1.4V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30 V
	Maximum Power Dissipation Pd	1.17kW
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	425nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Height	9.6mm
	Length	38.23mm
	Width	25.07 mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand IXYS
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 110A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 850V
	Package Type SOT-227
	Series HiperFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 33mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1.4V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V
	Maximum Power Dissipation Pd 1.17kW
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 425nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Height 9.6mm
	Length 38.23mm
	Width 25.07 mm
	Automotive Standard No

The 850V Ultra-Junction X-Class Power MOSFETs with fast body diodes represent a new power semiconductor product line from IXYS Corporation. These rugged devices display the lowest on-state resistances in the industry, enabling very high power density in high-voltage power conversion applications. Developed using the charge compensation principle and proprietary process technology, the new 850V devices exhibit the lowest on-state resistances (33 milliohm in the SOT-227 package and 41 milliohm in the PLUS264, for instance), along with low gate charges and superior dv/dt performance.

Ultra low on-resistance RDS(ON) and gate charge Qg

Fast body diode

dv/dt ruggedness

Avalanche rated

Low package inductance

International standard packages

IXYS HiperFET Type N-Channel MOSFET, 110 A, 850 V Enhancement, 4-Pin SOT-227 IXFN110N85X

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง