IXYS HiperFET Type N-Channel MOSFET, 36 A, 1 kV Enhancement, 4-Pin SOT-227
- RS Stock No.:
- 168-4473
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IXFN36N100
- ผู้ผลิต:
- IXYS
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 10 ชิ้น)*
THB27,936.69
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB29,892.26
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- 10 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 เมษายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | THB2,793.669 | THB27,936.69 |
| 20 - 30 | THB2,709.859 | THB27,098.59 |
| 40 + | THB2,628.565 | THB26,285.65 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 168-4473
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IXFN36N100
- ผู้ผลิต:
- IXYS
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | IXYS | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 36A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1kV | |
| Package Type | SOT-227 | |
| Series | HiperFET | |
| Mount Type | Panel | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 240mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 380nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 700W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 38.23mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 25.42 mm | |
| Height | 9.6mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand IXYS | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 36A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1kV | ||
Package Type SOT-227 | ||
Series HiperFET | ||
Mount Type Panel | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 240mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 380nC | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 700W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 38.23mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 25.42 mm | ||
Height 9.6mm | ||
Automotive Standard No | ||
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Series
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- IXYS HiperFET Type N-Channel MOSFET 1 kV Enhancement, 4-Pin SOT-227 IXFN36N100
- IXYS HiperFET Type N-Channel MOSFET 1 kV Enhancement, 4-Pin SOT-227
- IXYS HiperFET Type N-Channel MOSFET 1 kV Enhancement, 4-Pin SOT-227 IXFN24N100
- IXYS HiperFET Type N-Channel MOSFET 850 V Enhancement, 4-Pin SOT-227
- IXYS HiperFET Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin SOT-227
- IXYS HiperFET Type N-Channel MOSFET 850 V Enhancement, 4-Pin SOT-227
- IXYS HiperFET Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin SOT-227
- IXYS HiperFET Type N-Channel MOSFET 850 V Enhancement, 4-Pin SOT-227 IXFN110N85X
