IXYS HiperFET Type N-Channel MOSFET, 36 A, 1 kV Enhancement, 4-Pin SOT-227

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 10 ชิ้น)*

THB27,936.69

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB29,892.26

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • 10 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 เมษายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อหลอด*
10 - 10THB2,793.669THB27,936.69
20 - 30THB2,709.859THB27,098.59
40 +THB2,628.565THB26,285.65

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
168-4473
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IXFN36N100
ผู้ผลิต:
IXYS
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

IXYS

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

36A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1kV

Package Type

SOT-227

Series

HiperFET

Mount Type

Panel

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

240mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

380nC

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Power Dissipation Pd

700W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

38.23mm

Standards/Approvals

No

Width

25.42 mm

Height

9.6mm

Automotive Standard

No

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Series


MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง