IXYS HiperFET Type N-Channel MOSFET, 145 A, 650 V Enhancement, 4-Pin SOT-227 IXFN150N65X2

RS Stock No.:: 146-4239
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IXFN150N65X2
ผู้ผลิต:: IXYS

IXYS HiperFET Type N-Channel MOSFET, 145 A, 650 V Enhancement, 4-Pin SOT-227 IXFN150N65X2

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 10 ชิ้น)*

THB18,227.23

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB19,503.14

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

10 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อหลอด*
10 - 10	THB1,822.723	THB18,227.23
20 - 30	THB1,768.04	THB17,680.40
40 +	THB1,714.998	THB17,149.98

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 146-4239
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IXFN150N65X2
ผู้ผลิต:: IXYS

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	IXYS
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	145A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	650V
	Series	HiperFET
	Package Type	SOT-227
	Mount Type	Surface
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	17mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30 V
	Forward Voltage Vf	1.4V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	335nC
	Maximum Power Dissipation Pd	1.04kW
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	25.07 mm
	Height	9.6mm
	Length	38.23mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand IXYS
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 145A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 650V
	Series HiperFET
	Package Type SOT-227
	Mount Type Surface
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 17mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V
	Forward Voltage Vf 1.4V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 335nC
	Maximum Power Dissipation Pd 1.04kW
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 25.07 mm
	Height 9.6mm
	Length 38.23mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Low RDS(ON) and Qg

Fast body diode

dv/dt ruggedness

Avalanche rated

Low package inductance

International standard packages

Resonant mode power supplies

High intensity discharge (HID) lamp ballast

AC and DC motor drives

DC-DC converters

Robotic and servo control

Battery chargers

3-level solar inverters

LED lighting

Unmanned Aerial Vehicles (UAVs)

Higher eﬃciency

High power density

Easy to mount

Space savings

IXYS HiperFET Type N-Channel MOSFET, 145 A, 650 V Enhancement, 4-Pin SOT-227 IXFN150N65X2

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง